Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
Gardado en:
Những tác giả chính: | Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, Lý, Hoàng Diễm, Nguyễn, Thị Quế Trinh, Phạm, Tiến Phát |
---|---|
Formato: | Artigo |
Idioma: | Vietnamese |
Publicado: |
2023
|
Những chủ đề: | |
Acceso en liña: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=331122 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/146277 |
Các nhãn: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Títulos similares
-
SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
por: Lambrechts, Wynand, et al.
Publicado: (2020) -
Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
por: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Publicado: (2024) -
Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT. 1st ed. 2018
por: Sun, Yabin
Publicado: (2020) -
Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
por: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Publicado: (2023) -
Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
por: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Publicado: (2024)