Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường

QR Code (код быстрого отклика)

Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường

Сохранить в:

Библиографические подробности
Главные авторы:	Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, Lý, Hoàng Diễm, Nguyễn, Thị Quế Trinh, Phạm, Tiến Phát
Формат:	Статья
Язык:	Vietnamese
Опубликовано:	2023
Предметы:	Khoa học (Đại học Cần Thơ)
Online-ссылка:	https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=331122 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/146277
Метки:	Добавить метку Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Схожие документы

SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
по: Lambrechts, Wynand, et al.
Опубликовано: (2020)

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2024)

Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT. 1st ed. 2018
по: Sun, Yabin
Опубликовано: (2020)

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2023)

Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2024)

Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều
по: Nguyễn, Thị Thu
Опубликовано: (2018)

Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
по: Nguyễn Thị Thu.
Опубликовано: (2016)

Nghiên cứu hiệu ứng kênh ngắn trong các tranzito trường xuyên hầm với cấu trúc dị chất Si/SiGe sử dụng phương pháp mô phỏng hai chiều : Tóm tắt Luận văn Thạc sĩ Vật lý kỹ thuật /
по: Nguyễn Thị Thu.
Опубликовано: (2016)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
по: Chun-Hsing Shih, et al.
Опубликовано: (2024)

The new GE :
по: Slater, Robert
Опубликовано: (1993)

Heavy cyclopropenes of Si, Ge, SnA new challenge in the chemistry of group 14 elements /
по: Sekiguchi, Akira.

Hiệu ứng từ nhiệt trong các hợp kim Cđ8Cò, Gd5(Mn0,3Ge0,2Si0,5)4 và Gd5(Mn0,4Ge0,1Si0,3)4 /
по: Hoàng Đức Anh.

INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
по: Lương, Thị Kim Phượng
Опубликовано: (2023)

INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
по: Lương, Thị Kim Phượng
Опубликовано: (2024)

ẢNH HƯỞNG CỦA NGUYÊN TỐ Sb ĐẾN TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG Ge/Si ĐỒNG PHA TẠP Sb VÀ P
по: Lương, Thị Kim Phượng
Опубликовано: (2023)

On Ge Wu : recovering the way of the great learning /
по: Wang, Huaiyu.

Manuel D'hydraulique Ge'ne'rale /
по: Armando lencastre
Опубликовано: (1973)

Arthime'tique Et Ge'ome'trie /
по: Rene Cluzel
Опубликовано: (1944)

Sử dụng phương pháp động lực học phân tử nghiên cứu sự phát triển của màng mỏng ge trên chất nền si
по: Van, Trung Pham, et al.
Опубликовано: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
по: Lê, Thị Giang, et al.
Опубликовано: (2023)

THE EFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON THE GeMn FILM FORMATION
по: Lê, Thị Giang, et al.
Опубликовано: (2024)

Phổ tán xạ Raman của MnGeAs2 /
по: Nguyễn Văn Minh.

G.E. Moore's ethical theory: Resistance and reconciliation
по: Hutchinson, Brian
Опубликовано: (2013)

Study of the synthesis of SiO2-TiO2-GeO2 gel glass for hollow waveguide application in CO2 laser delivery /

Electronic band structure calculations on the antiferromagnetic ternary compounds Ce3Ni2X7(X= Ge and Sn) and CeNiGe3 /

Rath & Strong's GE Workout for Six Sigma Pocket Guide /
по: Rath & Strong
Опубликовано: (2004)

Bibliotheque De l'enseignemet Technique .Ge'ome'trie /
по: R. Oriol
Опубликовано: (1958)

The'orie ge'ne'rale du domaine prive' /
по: Goulet Jean
Опубликовано: (1986)

Cours De Mathe'matiques Spe'ciales. Ge'ometrie Descriptive /
по: G. Cagnac
Опубликовано: (1951)

Les Mathematiques en terminales C et E .Ge'ometrie /
по: B. Cardouat
Опубликовано: (1968)

Threshold voltage of Ge channel MOSFETs with high-k gate insulator
по: Chun-Hsing Shih, et al.
Опубликовано: (2024)

Hiệu ứng giam cầm và tính chất điện tử của dây nano Ge /
по: Nguyễn Hồng Quang.

PRELIMINARY STUDY ON GeTe-SbTe AND Sm-B TOPOLOGICAL INSULATORS
по: Nguyen, Thi Le Thi, et al.
Опубликовано: (2024)

Probing the mobility of lithium in LISICON : Li+/H+ exchange studies in Li2ZnGeO4 and Li2+2xZn1-xGeO4 /
по: Sebastian, Litty.

Technologie Ge'ne'rale Des Metier De la Me'canique /
по: Robert Pajot
Опубликовано: (1970)

Nghiên cứu phản ứng hạt nhân (p,n) trên các bia chì (Pb), Wolfram (W) và Uranium (U) với năng lượng bắn phá tương đối thấp ( từ 0.01GeV đến 0.05GeV) :
по: Trần, Thị Diễm
Опубликовано: (2011)

Cấu trúc và tính chất quang phổ của Cluster CoGe4-/0 Luận văn thạc sĩ Hóa học. Chuyên ngành: Hóa lý thuyết và Hóa lý. Mã số: 8 44 01 19
по: Ngô, Thị Lý
Опубликовано: (2019)

Hiệu ứng màn chắn trong phản ứng P-N với các bia chì, uranium, vàng ở năng lượng bắn phá của proton từ 0.5 GeV đến 1.5 GeV :
по: Lê, Thị Thanh Trúc
Опубликовано: (2009)

Chẩn đoán lỗi máy biến áp sử dụng GeNIe Modeler
по: Nguyễn, Thanh Sơn
Опубликовано: (2023)

Nghiên cứu chế tạo diode phát quang trên nền vật liệu Ge/Si pha tạp điện tử mật độ cao ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp
по: Lương, Thị Kim Phượng
Опубликовано: (2023)