Characteristics of Ni/SiC schottky diodes grown by ICP-CVD /
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | Gil, Tae-Hyun. |
|---|---|
| অন্যান্য লেখক: | Kim, Han-Soo., Kim, Yong-Sang. |
| বিন্যাস: | প্রবন্ধ |
| ভাষা: | English |
| বিষয়গুলি: | |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Schottky barrier silicon nanowire SONOS memory with ultralow programming and erasing voltages
অনুযায়ী: Chun-Hsing Shih, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024) -
Effects of High Temperatures on Cell Reading, Programming, and Erasing of Schottky Barrier Charge-Trapping Memories
অনুযায়ী: Jr-Jie Tsai, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023) -
A source-side injection lucky electron model for Schottky barrier metal-oxide-semiconductor devices
অনুযায়ী: Chun-Hsing Shih, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024) -
Modified trench MOS barrier schottky (TMBS) rectifier /
অনুযায়ী: Moon, Jin-Woo. -
Jorgensen's inequality for classical Schottky groups of real type II /
অনুযায়ী: Sato, Hiroki.