Characteristics of Ni/SiC schottky diodes grown by ICP-CVD /

Guardado en:

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Gil, Tae-Hyun.
Otros Autores:	Kim, Han-Soo., Kim, Yong-Sang.
Formato:	Artículo
Lenguaje:	English
Materias:	Breakdown voltage Chemical vapor depositon Inductively coupled plasma Schottky barrier height Silicon carbide
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Sea el primero en dejar un comentario!

Ejemplares similares