|
|
|
|
| LEADER |
00951nam a2200313 4500 |
| 001 |
DLU090078957 |
| 005 |
##20090619 |
| 040 |
# |
# |
|a DLU
|b eng
|
| 041 |
# |
# |
|a eng
|
| 044 |
# |
# |
|a KR
|
| 100 |
# |
# |
|a Gil, Tae-Hyun.
|
| 245 |
# |
# |
|a Characteristics of Ni/SiC schottky diodes grown by ICP-CVD /
|c Tae-Hyun Gil, Han-Soo Kim, Yong-Sang Kim.
|
| 653 |
# |
# |
|a Breakdown voltage
|
| 653 |
# |
# |
|a Chemical vapor depositon
|
| 653 |
# |
# |
|a Inductively coupled plasma
|
| 653 |
# |
# |
|a Schottky barrier height
|
| 653 |
# |
# |
|a Silicon carbide
|
| 700 |
# |
# |
|a Kim, Han-Soo.
|
| 700 |
# |
# |
|a Kim, Yong-Sang.
|
| 773 |
# |
# |
|t Electrophysics and Applications
|g Vol. 4-C, no. 3 (2004), p. 111-116
|
| 920 |
# |
# |
|a Phòng Tạp chí -- Trung tâm Thông tin - Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
|
| 994 |
# |
# |
|a DLU
|
| 900 |
# |
# |
|a True
|
| 911 |
# |
# |
|a Trương Bảo Trâm Anh
|
| 925 |
# |
# |
|a G
|
| 926 |
# |
# |
|a A
|
| 927 |
# |
# |
|a BB
|
| 980 |
# |
# |
|a Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
|
