Characteristics of Ni/SiC schottky diodes grown by ICP-CVD /

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính:	Gil, Tae-Hyun.
Tác giả khác:	Kim, Han-Soo., Kim, Yong-Sang.
Định dạng:	Bài viết
Ngôn ngữ:	English
Những chủ đề:	Breakdown voltage Chemical vapor depositon Inductively coupled plasma Schottky barrier height Silicon carbide
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt


LEADER	00951nam a2200313 4500
001	DLU090078957
005	##20090619
040	#	#	\|a DLU \|b eng
041	#	#	\|a eng
044	#	#	\|a KR
100	#	#	\|a Gil, Tae-Hyun.
245	#	#	\|a Characteristics of Ni/SiC schottky diodes grown by ICP-CVD / \|c Tae-Hyun Gil, Han-Soo Kim, Yong-Sang Kim.
653	#	#	\|a Breakdown voltage
653	#	#	\|a Chemical vapor depositon
653	#	#	\|a Inductively coupled plasma
653	#	#	\|a Schottky barrier height
653	#	#	\|a Silicon carbide
700	#	#	\|a Kim, Han-Soo.
700	#	#	\|a Kim, Yong-Sang.
773	#	#	\|t Electrophysics and Applications \|g Vol. 4-C, no. 3 (2004), p. 111-116
920	#	#	\|a Phòng Tạp chí -- Trung tâm Thông tin - Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
994	#	#	\|a DLU
900	#	#	\|a True
911	#	#	\|a Trương Bảo Trâm Anh
925	#	#	\|a G
926	#	#	\|a A
927	#	#	\|a BB
980	#	#	\|a Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự