MOCVD of gallium nitride nanostructures using (N3)2Ga&(CH2)3NR2;, R= Me, Et, as a single molecule precursor : Morphology control and materials characterization /
Đã lưu trong:
| 其他作者: | , , , , , , |
|---|---|
| 格式: | Bài viết |
| 語言: | English |
| 主題: | |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|