MOCVD of gallium nitride nanostructures using (N3)2Ga&(CH2)3NR2;, R= Me, Et, as a single molecule precursor : Morphology control and materials characterization /
שמור ב:
| מחברים אחרים: | , , , , , , |
|---|---|
| פורמט: | Bài viết |
| שפה: | English |
| נושאים: | |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|