MOCVD of gallium nitride nanostructures using (N3)2Ga&(CH2)3NR2;, R= Me, Et, as a single molecule precursor : Morphology control and materials characterization /
Uloženo v:
| Další autoři: | , , , , , , |
|---|---|
| Médium: | Článek |
| Jazyk: | English |
| Témata: | |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!