Dependence of short-channel effects on semiconductor bandgap in tunnel field-effect transistors
Scaling down the bandgap is considered as an essential approach to enhance the performance of tunnel field-effect transistors (TFETs). Using two-dimensional simulations, this study examines the dependence of short-channel effects on the semiconductor bandgap in TFETs. It is shown that the short-chan...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Nguyễn, Đăng Chiến, Chun-Hsing Shih, Hung-Jin, Teng, Cong Kha Pham |
---|---|
Định dạng: | Journal Article |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
2023
|
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/2074 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Negative capacitance in short-channel tunnel field-effect transistors
Bỡi: Hung-Jin Teng, et al.
Được phát hành: (2024) -
Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023) -
Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)