Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
In this study, we examined the influence of using hetero-gate dielectrics (HGDs) on the short-channel effects (SCEs) in scaled tunnel field-effect transistors (TFETs). For bulk TFETs, the short-channel performance is not influenced by the HGD engineering because the SCEs are caused by the tunneling...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | , , , |
---|---|
Định dạng: | Journal article |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
Elsevier
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3289 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|