Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
In this study, we examined the influence of using hetero-gate dielectrics (HGDs) on the short-channel effects (SCEs) in scaled tunnel field-effect transistors (TFETs). For bulk TFETs, the short-channel performance is not influenced by the HGD engineering because the SCEs are caused by the tunneling...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh, Huynh Thi Hong Tham, Chun-Hsing Shih |
---|---|
Định dạng: | Journal article |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
Elsevier
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3289 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023) -
Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)