Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications

Mã QR

Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications

This study investigates, by a two-dimensional simulation, the design optimization of a proposed 8 nm tunnel field-effect transistor (TFET) for low standby power (LSTP) applications utilizing graded Si/SiGe heterojunction with device parameters based on the ITRS specifications. The source Ge mole fra...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Nguyễn, Đăng Chiến, Luu The Vinh
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	Publishing House for Science and Technology, Vietnam Academy of Science and Technology 2024
Những chủ đề:	Graded Si/SiGe Low standby power (LSTP) Short-channel device Tunnel field-effect transistor
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3294
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

A VERY LOW BANDGAP LINE-TUNNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL-BURIED OXIDE AND LATERALLY DOPED POCKET
Bỡi: Bui, Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Bỡi: Luu The Vinh, et al.
Được phát hành: (2023)

Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Re-evaluating the volume effect in double-gate tunnel field effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023)

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

A simple approach for integrating quantum confinement effects into TCAD Simulations of tunnel field-effect transistors
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Physical operation and device design of short-channel tunnel field-effect transistors with graded silicon-germanium heterojunctions
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Transistors
Bỡi: Gillie, A. C.
Được phát hành: (1959)

Transistor technology
Bỡi: Biondi, F.J.
Được phát hành: (1957)

Semiconductor-thickness-dependent design of hetero-gate dielectric in double-gate TFETs
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Transistor physics and circuits
Được phát hành: (1958)

Marketing channels :
Bỡi: Rosenbloom, Bert
Được phát hành: (1999)

SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
Bỡi: Lambrechts, Wynand, et al.
Được phát hành: (2020)

Transistor?... thật là đơn giản
Bỡi: E Aisberg
Được phát hành: (1972)

Transistor audio amplifiers
Bỡi: Jones, Dwight V.
Được phát hành: (1968)

Field-effect transistors :
Được phát hành: (1966)

Drive current enhancement in tunnel field-effect transistors by graded heterojunction approach
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Mạch điện tử transistor
Bỡi: Phạm Hữu Hiệp
Được phát hành: (1970)

Phân tích mạch transistor :
Bỡi: Đỗ, Thanh Hải
Được phát hành: (2002)

Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Channel catfish culture
Được phát hành: (1992)

Open channel hydraulics /
Bỡi: Sturm, Terry W.
Được phát hành: (2001)

Marketing channel strategy
Bỡi: Palmatier, Robert W
Được phát hành: (2015)

Transistor?... thật là đơn giản
Bỡi: E Aisberg
Được phát hành: (1972)

Nguyên lí máy thu transistor
Bỡi: Phạm Văn Đương
Được phát hành: (1972)

Channel catfish farming handbook
Bỡi: Tucker, Craig S.
Được phát hành: (1991)

Theory and applications of field-effect transistors
Bỡi: Cobbold, Richard S. C.
Được phát hành: (1970)