Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
This study presents a new sub-10-nm tunnel field-effect transistor (TFET) with bandgap engineering using a graded Si/Ge heterojunction. Both the height and width of the tunneling barrier are highly controlled by applying gate voltages to ensure a near ideal sub-5-mV/dec switching of scaled sub-10-nm...
Gardado en:
| Những tác giả chính: | , |
|---|---|
| Formato: | Journal article |
| Idioma: | English |
| Publicado: |
IEEE Publishing
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Acceso en liña: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3297 |
| Các nhãn: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Sexa o primeiro en deixar un comentario!