Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
This study presents a new sub-10-nm tunnel field-effect transistor (TFET) with bandgap engineering using a graded Si/Ge heterojunction. Both the height and width of the tunneling barrier are highly controlled by applying gate voltages to ensure a near ideal sub-5-mV/dec switching of scaled sub-10-nm...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến |
---|---|
Định dạng: | Journal article |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
IEEE Publishing
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3297 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023) -
Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)