Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction

This study presents a new sub-10-nm tunnel field-effect transistor (TFET) with bandgap engineering using a graded Si/Ge heterojunction. Both the height and width of the tunneling barrier are highly controlled by applying gate voltages to ensure a near ideal sub-5-mV/dec switching of scaled sub-10-nm...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Chun-Hsing Shih, Nguyễn, Đăng Chiến
Định dạng: Journal article
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: IEEE Publishing 2024
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3297
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự