Schottky barrier silicon nanowire SONOS memory with ultralow programming and erasing voltages
A new Schottky barrier (SB) nonvolatile nanowire memory is reported experimentally with efficient low-voltage programming and erasing. By applying an SB source/drain to enhance the electrical field in the silicon gate-all-around nanowire, the nonvolatile silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) m...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Journal article |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
IEEE Publishing
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3298 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!