A source-side injection lucky electron model for Schottky barrier metal-oxide-semiconductor devices
This letter explores source-side injection in Schottky barrier metal-oxide-semiconductor (MOS) devices. Unlike drain-side injection in conventional MOS devices, a source-side lucky electron model predicts the specific source-side injection in Schottky barrier MOS devices. The source-side electric fi...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Journal article |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
IEEE Publishing
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3299 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!