Ambipolar conduction in recessed channel Schottky barrier MOSFETs
The ambipolar conduction is numerically studied in recessed channel Schottky barrier MOSFET (RC-SBMOS). The results show that the recessed channel structure can alleviate the lateral field penetrations coming from drain electrode. Thus, it is rather insensitive to the variations of drain voltages. H...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Conference paper |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
IEEE Publishing
2024
|
| الوصول للمادة أونلاين: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3304 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|