Ambipolar conduction in recessed channel Schottky barrier MOSFETs

Mã QR

Ambipolar conduction in recessed channel Schottky barrier MOSFETs

The ambipolar conduction is numerically studied in recessed channel Schottky barrier MOSFET (RC-SBMOS). The results show that the recessed channel structure can alleviate the lateral field penetrations coming from drain electrode. Thus, it is rather insensitive to the variations of drain voltages. H...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Chun-Hsing Shih, Shao-Hui Yang, Ruei-Kai Shia, Nguyễn, Đăng Chiến
Định dạng:	Conference paper
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	IEEE Publishing 2024
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3304
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

On-current limitation of high-k gate insulator MOSFETs
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Schottky barrier silicon nanowire SONOS memory with ultralow programming and erasing voltages
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Threshold voltage of Ge channel MOSFETs with high-k gate insulator
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Transverse scaling of Schottky barrier charge-trapping cells for energy-efficient applications
Bỡi: Hung-Jin Teng, et al.
Được phát hành: (2021)

Fringing field and short channel effects in thin-body SOI MOSFETs with shallow source/drain
Bỡi: Jui-Kai Hsia, et al.
Được phát hành: (2024)

A source-side injection lucky electron model for Schottky barrier metal-oxide-semiconductor devices
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Dopant-segregated metal source tunnel field-effect transistors with Schottky barrier and band-to-band tunneling
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Effects of High Temperatures on Cell Reading, Programming, and Erasing of Schottky Barrier Charge-Trapping Memories
Bỡi: Jr-Jie Tsai, et al.
Được phát hành: (2023)

Modified trench MOS barrier schottky (TMBS) rectifier /
Bỡi: Moon, Jin-Woo.

MOSFET theory and design
Bỡi: Warner Jr, R. M.
Được phát hành: (1999)

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Physical operation and device design of short-channel tunnel field-effect transistors with graded silicon-germanium heterojunctions
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Hiệu thế thềm trong MOSFET
Bỡi: Lý Võ
Được phát hành: (1974)

The Kennedy recession :
Bỡi: Rukeyser, Merryle Stanley
Được phát hành: (1963)

Negative capacitance in short-channel tunnel field-effect transistors
Bỡi: Hung-Jin Teng, et al.
Được phát hành: (2024)

Recession and the Malaysian economy
Bỡi: Khor Kok Peng
Được phát hành: (1983)

Jorgensen's inequality for classical Schottky groups of real type II /
Bỡi: Sato, Hiroki.

A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
Bỡi: Bui Huu Thai, et al.
Được phát hành: (2024)

Separation and quantification of parasitic resistance in nano-scale silicon MOSFET /

Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

Dependence of short-channel effects on semiconductor bandgap in tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Characteristics of Ni/SiC schottky diodes grown by ICP-CVD /
Bỡi: Gil, Tae-Hyun.

Thực hiện mạch khuếch đại cao tần dùng MOSFET
Bỡi: Phạm Thành Nghiệp
Được phát hành: (1972)

Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

The 1974-1975 recession and the employment of women.
Được phát hành: (1976)

Projecting Profits During Inflaction and Recession /
Bỡi: M. Bradway Bruce
Được phát hành: (1981)

SN54S481SN74S481 4- Bit- slice schottky processor elements data manual
Được phát hành: (1976)

The steel industry in W. Europe present recession and medium term prospects
Được phát hành: (1975)

Electrochemical design of metal distribution in alkali silicate glass with ion-conducting microelectrodes /
Bỡi: Kamada, Kai.

Breaking the barriers
Bỡi: Abegglen, James C.
Được phát hành: (1982)

Breaking the yield barrier
Được phát hành: (1994)

Breaking down the barriers
Bỡi: Kevin A., Gorman
Được phát hành: (2013)

Bandgap-dependent onset behavior of output characteristics in line-tunneling field-effect transistors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2023)

Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Physical properties and analytical models of band-to-band tunneling in low-bandgap semiconductors
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Conduct unbecoming
Bỡi: Shilts, Randy
Được phát hành: (1993)

The conduct of life
Bỡi: Mumford, Lewis
Được phát hành: (1951)