Ambipolar conduction in recessed channel Schottky barrier MOSFETs
The ambipolar conduction is numerically studied in recessed channel Schottky barrier MOSFET (RC-SBMOS). The results show that the recessed channel structure can alleviate the lateral field penetrations coming from drain electrode. Thus, it is rather insensitive to the variations of drain voltages. H...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Chun-Hsing Shih, Shao-Hui Yang, Ruei-Kai Shia, Nguyễn, Đăng Chiến |
---|---|
Định dạng: | Conference paper |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
IEEE Publishing
2024
|
Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3304 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
Những quyển sách tương tự
-
Schottky barrier silicon nanowire SONOS memory with ultralow programming and erasing voltages
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
On-current limitation of high-k gate insulator MOSFETs
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Threshold voltage of Ge channel MOSFETs with high-k gate insulator
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024) -
Transverse scaling of Schottky barrier charge-trapping cells for energy-efficient applications
Bỡi: Hung-Jin Teng, et al.
Được phát hành: (2021) -
A source-side injection lucky electron model for Schottky barrier metal-oxide-semiconductor devices
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)