Ambipolar conduction in recessed channel Schottky barrier MOSFETs
The ambipolar conduction is numerically studied in recessed channel Schottky barrier MOSFET (RC-SBMOS). The results show that the recessed channel structure can alleviate the lateral field penetrations coming from drain electrode. Thus, it is rather insensitive to the variations of drain voltages. H...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Conference paper |
| ভাষা: | English |
| প্রকাশিত: |
IEEE Publishing
2024
|
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3304 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|