Ambipolar conduction in recessed channel Schottky barrier MOSFETs
The ambipolar conduction is numerically studied in recessed channel Schottky barrier MOSFET (RC-SBMOS). The results show that the recessed channel structure can alleviate the lateral field penetrations coming from drain electrode. Thus, it is rather insensitive to the variations of drain voltages. H...
Gardado en:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Formato: | Conference paper |
| Idioma: | English |
| Publicado: |
IEEE Publishing
2024
|
| Acceso en liña: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3304 |
| Các nhãn: |
Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|