Ambipolar conduction in recessed channel Schottky barrier MOSFETs
The ambipolar conduction is numerically studied in recessed channel Schottky barrier MOSFET (RC-SBMOS). The results show that the recessed channel structure can alleviate the lateral field penetrations coming from drain electrode. Thus, it is rather insensitive to the variations of drain voltages. H...
Na minha lista:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Formato: | Conference paper |
| Idioma: | English |
| Publicado em: |
IEEE Publishing
2024
|
| Acesso em linha: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3304 |
| Tags: |
Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|