Tính chất vận chuyển của khí điện tử hai chiều trong giếng thế SiGe/Si/SiGe dưới ảnh hưởng của nhiệt độ và từ trường
Uloženo v:
Hlavní autoři: | Nguyễn, Thị Thúy Quỳnh, Lý, Hoàng Diễm, Nguyễn, Thị Quế Trinh, Phạm, Tiến Phát |
---|---|
Médium: | Článek |
Jazyk: | Vietnamese |
Vydáno: |
2023
|
Témata: | |
On-line přístup: | https://sti.vista.gov.vn/tw/Pages/tai-lieu-khcn.aspx?ItemID=331122 https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/146277 |
Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Podobné jednotky
-
SiGe-based Re-engineering of Electronic Warfare Subsystems
Autor: Lambrechts, Wynand, a další
Vydáno: (2020) -
Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
Autor: Nguyễn, Đăng Chiến, a další
Vydáno: (2024) -
Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT. 1st ed. 2018
Autor: Sun, Yabin
Vydáno: (2020) -
Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Autor: Nguyễn, Đăng Chiến, a další
Vydáno: (2023) -
Design optimization of extremely short-channel graded Si/SiGe heterojunction tunnel field-effect transistors for low power applications
Autor: Nguyễn, Đăng Chiến, a další
Vydáno: (2024)