Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

שמור ב:

מידע ביבליוגרפי
מחברים אחרים:	Aghoram, Umamaheswari., Chu, Min., Sun, Yongke., Thompson, Scott E.
פורמט:	Bài viết
שפה:	English
נושאים:	Band structure Biaxial Effective mass Scattering Stress Uniaxial
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

פריטים דומים