Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /
Đã lưu trong:
| Tác giả khác: | Aghoram, Umamaheswari., Chu, Min., Sun, Yongke., Thompson, Scott E. |
|---|---|
| Định dạng: | Bài viết |
| Ngôn ngữ: | English |
| Những chủ đề: | |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Những quyển sách tương tự
Những quyển sách tương tự
-
Stress trong đời sống của con người và vật nuôi
Bỡi: Phạm Khắc Hiếu
Được phát hành: (1998) -
Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Nghiên cứu tối ưu hóa các tham số của thân linh kiện nâng cao đặc tính điện của các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm (TFET)
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2025) -
Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)