Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /
Saved in:
| Other Authors: | Aghoram, Umamaheswari., Chu, Min., Sun, Yongke., Thompson, Scott E. |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Subjects: | |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Institutions: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Similar Items
-
Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
by: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Published: (2024) -
Stress trong đời sống của con người và vật nuôi
by: Phạm Khắc Hiếu
Published: (1998) -
Nghiên cứu tối ưu hóa các tham số của thân linh kiện nâng cao đặc tính điện của các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm (TFET)
by: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Published: (2025) -
Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
by: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Published: (2024) -
Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
by: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Published: (2023)