Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

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Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

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Altri autori:	Aghoram, Umamaheswari., Chu, Min., Sun, Yongke., Thompson, Scott E.
Natura:	Articolo
Lingua:	English
Soggetti:	Band structure Biaxial Effective mass Scattering Stress Uniaxial
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Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

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