Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
অন্যান্য লেখক: Aghoram, Umamaheswari., Chu, Min., Sun, Yongke., Thompson, Scott E.
বিন্যাস: প্রবন্ধ
ভাষা:English
বিষয়গুলি:
Band structure
Biaxial
Effective mass
Scattering
Stress
Uniaxial
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

অনুরূপ উপাদানগুলি

অনুরূপ উপাদানগুলি