Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Otros Autores: Aghoram, Umamaheswari., Chu, Min., Sun, Yongke., Thompson, Scott E.
Formato: Artículo
Lenguaje:English
Materias:
Band structure
Biaxial
Effective mass
Scattering
Stress
Uniaxial
Etiquetas: Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Ejemplares similares

Ejemplares similares