Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /
Đã lưu trong:
Tác giả khác: | Aghoram, Umamaheswari., Chu, Min., Sun, Yongke., Thompson, Scott E. |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | English |
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Thin-body effects in double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
MOSFET theory and design
Bỡi: Warner Jr, R. M.
Được phát hành: (1999) -
Stress trong đời sống của con người và vật nuôi
Bỡi: Phạm Khắc Hiếu
Được phát hành: (1998) -
Influence of hetero-gate dielectrics on short-channel effects in scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Oxide thickness-dependent effects of source doping profile on the performance of single- and double-gate tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)