Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

Spremljeno u:
Bibliografski detalji
Daljnji autori: Aghoram, Umamaheswari., Chu, Min., Sun, Yongke., Thompson, Scott E.
Format: Članak
Jezik:English
Teme:
Oznake: Dodaj oznaku
Bez oznaka, Budi prvi tko označuje ovaj zapis!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt