Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

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Detalhes bibliográficos
Outros Autores:	Aghoram, Umamaheswari., Chu, Min., Sun, Yongke., Thompson, Scott E.
Formato:	Atigo
Idioma:	English
Assuntos:	Band structure Biaxial Effective mass Scattering Stress Uniaxial
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Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Descrição
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