Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /

Shranjeno v:

Bibliografske podrobnosti
Drugi avtorji:	Aghoram, Umamaheswari., Chu, Min., Sun, Yongke., Thompson, Scott E.
Format:	Bài viết
Jezik:	English
Teme:	Band structure Biaxial Effective mass Scattering Stress Uniaxial
Oznake:	Označite Brez oznak, prvi označite!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Komentirajte kot prvi!

Podobne knjige/članki