Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs /
Shranjeno v:
| Drugi avtorji: | , , , |
|---|---|
| Format: | Bài viết |
| Jezik: | English |
| Teme: | |
| Oznake: |
Označite
Brez oznak, prvi označite!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
| LEADER | 00941nam a2200337 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | DLU090097897 | ||
| 005 | ##20091201 | ||
| 040 | # | # | |a DLU |b eng |
| 041 | # | # | |a eng |
| 044 | # | # | |a us |
| 245 | # | # | |a Strain : A solution for higher carrier mobility in nanoscale MOSFETs / |c Min Chu ... [et al.]. |
| 653 | # | # | |a Band structure |
| 653 | # | # | |a Biaxial |
| 653 | # | # | |a Effective mass |
| 653 | # | # | |a Scattering |
| 653 | # | # | |a Stress |
| 653 | # | # | |a Uniaxial |
| 700 | # | # | |a Aghoram, Umamaheswari. |
| 700 | # | # | |a Chu, Min. |
| 700 | # | # | |a Sun, Yongke. |
| 700 | # | # | |a Thompson, Scott E. |
| 773 | # | # | |t Annual Review of Materials Research |g Vol. 39 (2009), p. 203-229 |
| 920 | # | # | |a Phòng Tạp chí -- Trung tâm Thông tin - Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
| 994 | # | # | |a DLU |
| 900 | # | # | |a True |
| 911 | # | # | |a Trương Bảo Trâm Anh |
| 925 | # | # | |a G |
| 926 | # | # | |a A |
| 927 | # | # | |a BB |
| 980 | # | # | |a Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |