Lonizing radiation effects in mos oxides
This volume is intended to serve as an updated critical guide to the extensive literature on the basic physical mechanisms controlling the radiation and reliability responses of MOS oxides.
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Sách |
| Ngôn ngữ: | Vietnamese |
| Được phát hành: |
Singapore
World Scientific
1999
|
| Loạt: | International advances in solid state electronics and technology
|
| Những chủ đề: | |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Nam Cần Thơ |
|---|
| LEADER | 01235nam a22002297a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | NCT_82548 | ||
| 008 | 200723b xxu||||| |||| 00| 0 vie d | ||
| 999 | |c 4062 |d 4062 | ||
| 020 | |a 9810233264 | ||
| 082 | 0 | 4 | |2 23rd ed. |a 539.72 |b O375 |
| 100 | |a Oldham, Timothy R | ||
| 245 | 1 | 0 | |a Lonizing radiation effects in mos oxides |c Timothy R Oldham |
| 260 | |a Singapore |b World Scientific |c 1999 | ||
| 300 | |a xiv, 171 p. |c 23cm | ||
| 490 | |a International advances in solid state electronics and technology | ||
| 520 | 3 | |a This volume is intended to serve as an updated critical guide to the extensive literature on the basic physical mechanisms controlling the radiation and reliability responses of MOS oxides. | |
| 653 | |a Cơ bản | ||
| 942 | |2 ddc |c BK | ||
| 952 | |0 0 |1 0 |2 ddc |4 0 |6 539_720000000000000_O375 |7 0 |9 19976 |a 000001 |b 000001 |d 2020-07-23 |o 539.72 O375 |p MD.17420 |r 2020-07-23 |w 2020-07-23 |y BK | ||
| 952 | |0 0 |1 0 |2 ddc |4 0 |6 539_720000000000000_O375 |7 0 |9 19977 |a 000001 |b 000001 |d 2020-07-23 |o 539.72 O375 |p MD.17421 |r 2020-07-23 |w 2020-07-23 |y BK | ||
| 952 | |0 0 |1 0 |2 ddc |4 0 |6 539_720000000000000_O375 |7 0 |9 19978 |a 000001 |b 000001 |d 2020-07-23 |o 539.72 O375 |p MD.17422 |r 2020-07-23 |w 2020-07-23 |y BK | ||
| 980 | |a Thư viện Trường Đại học Nam Cần Thơ | ||