Lonizing radiation effects in mos oxides

This volume is intended to serve as an updated critical guide to the extensive literature on the basic physical mechanisms controlling the radiation and reliability responses of MOS oxides.

Đã lưu trong:
Bibliografiske detaljer
Hovedforfatter: Oldham, Timothy R
Format: Bog
Sprog:Vietnamese
Udgivet: Singapore World Scientific 1999
Serier:International advances in solid state electronics and technology
Fag:
Tags: Tilføj Tag
Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Nam Cần Thơ

Lignende værker