Lonizing radiation effects in mos oxides

This volume is intended to serve as an updated critical guide to the extensive literature on the basic physical mechanisms controlling the radiation and reliability responses of MOS oxides.

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας: Oldham, Timothy R
Μορφή: Βιβλίο
Γλώσσα:Vietnamese
Έκδοση: Singapore World Scientific 1999
Σειρά:International advances in solid state electronics and technology
Θέματα:
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Nam Cần Thơ