Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions
The dimensional scaling of tunnel field-effect transistors (TFETs) is an indispensable issue to make them competitive with traditional metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). This paper elucidates the scalabilities of very potential TFETs utilizing Si/SiGe heterojunctions opera...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Conference paper |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
IEEE Publishing
2024
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3312 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|