Different scalabilities of N- and P-Type tunnel field-effect transistors with Si/SiGe heterojunctions

The dimensional scaling of tunnel field-effect transistors (TFETs) is an indispensable issue to make them competitive with traditional metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). This paper elucidates the scalabilities of very potential TFETs utilizing Si/SiGe heterojunctions opera...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Nguyễn, Đăng Chiến, Nguyen Thi Thu, Chun-Hsing Shih, Luu The Vinh
Định dạng: Conference paper
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: IEEE Publishing 2024
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3312
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự