Design and Modeling of Tunnel Field-Effect Transistors
Doctoral Thesis
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Nguyễn, Đăng Chiến |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Shih, Chun-Hsing |
التنسيق: | Dissertation |
اللغة: | en_US |
منشور في: |
National Chi Nan University
2023
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://scholar.dlu.edu.vn/thuvienso/handle/DLU123456789/115757 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
مواد مشابهة
-
Suitability of low-bandgap semiconductors for energy-efficient tunnel-field effect transistors
بواسطة: Nguyễn, Đăng Chiến, وآخرون
منشور في: (2024) -
Design and modeling of line-tunneling field-effect transistors using low bandgap semiconductors
بواسطة: Chun-Hsing Shih, وآخرون
منشور في: (2024) -
Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
بواسطة: Nguyễn, Đăng Chiến, وآخرون
منشور في: (2024) -
Roles of gate-oxide thickness reduction in scaling bulk and thin-body tunnel field-effect transistors
بواسطة: Nguyễn, Đăng Chiến, وآخرون
منشور في: (2023) -
A very low bandgap line-tunnel field effect transistor with channel-buried oxide and laterally doped pocket
بواسطة: Bui Huu Thai, وآخرون
منشور في: (2024)