Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Đã lưu trong:
书目详细资料
其他作者: Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon.
格式: Bài viết
语言:English
主题:
PR
标签: 添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt