Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
Guardado en:
| Otros Autores: | Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon. |
|---|---|
| Formato: | Artículo |
| Lenguaje: | English |
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Ejemplares similares
-
Effects of High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Photosensor
por: Than, Hong Phuc, et al.
Publicado: (2021) - Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /
-
Effects of Temperature and Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
por: Than, Hong Phuc, et al.
Publicado: (2021) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
por: Nguyễn, Văn Mạnh
Publicado: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
por: Than, Hong Phuc, et al.
Publicado: (2022)