Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
Salvato in:
| Altri autori: | Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon. |
|---|---|
| Natura: | Articolo |
| Lingua: | English |
| Soggetti: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne! !
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Documenti analoghi
-
Effects of High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Photosensor
di: Than, Hong Phuc, et al.
Pubblicazione: (2021) - Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /
-
Effects of Temperature and Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
di: Than, Hong Phuc, et al.
Pubblicazione: (2021) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
di: Nguyễn, Văn Mạnh
Pubblicazione: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
di: Than, Hong Phuc, et al.
Pubblicazione: (2022)