Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
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| Weitere Verfasser: | Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon. |
|---|---|
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Schlagworte: | |
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| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
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