Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Otros Autores: Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon.
Formato: Artículo
Lenguaje:English
Materias:
PR
Etiquetas: Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Ejemplares similares