Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Guardat en:
Dades bibliogràfiques
Altres autors: Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon.
Format: Article
Idioma:English
Matèries:
PR
Etiquetes: Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Ítems similars