Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
Tallennettuna:
| Muut tekijät: | Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon. |
|---|---|
| Aineistotyyppi: | Artikkeli |
| Kieli: | English |
| Aiheet: | |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Samankaltaisia teoksia
-
Effects of High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Photosensor
Tekijä: Than, Hong Phuc, et al.
Julkaistu: (2021) - Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /
-
Effects of Temperature and Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
Tekijä: Than, Hong Phuc, et al.
Julkaistu: (2021) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
Tekijä: Nguyễn, Văn Mạnh
Julkaistu: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
Tekijä: Than, Hong Phuc, et al.
Julkaistu: (2022)