Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
Guardat en:
| Altres autors: | Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon. |
|---|---|
| Format: | Article |
| Idioma: | English |
| Matèries: | |
| Etiquetes: |
Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Ítems similars
-
Effects of High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Photosensor
per: Than, Hong Phuc, et al.
Publicat: (2021) - Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /
-
Effects of Temperature and Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
per: Than, Hong Phuc, et al.
Publicat: (2021) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
per: Nguyễn, Văn Mạnh
Publicat: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
per: Than, Hong Phuc, et al.
Publicat: (2022)