Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Kaydedildi:
Detaylı Bibliyografya
Diğer Yazarlar: Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon.
Materyal Türü: Makale
Dil:English
Konular:
PR
Etiketler: Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Benzer Materyaller