Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
Đã lưu trong:
| 其他作者: | Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon. |
|---|---|
| 格式: | Bài viết |
| 語言: | English |
| 主題: | |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
相似書籍
-
Effects of High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Photosensor
由: Than, Hong Phuc, et al.
出版: (2021) - Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /
-
Effects of Temperature and Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
由: Than, Hong Phuc, et al.
出版: (2021) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
由: Nguyễn, Văn Mạnh
出版: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
由: Than, Hong Phuc, et al.
出版: (2022)