Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחברים אחרים: Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon.
פורמט: Bài viết
שפה:English
נושאים:
PR
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

פריטים דומים