Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
Đã lưu trong:
Tác giả khác: | Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon. |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | English |
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
- Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /
-
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
Bỡi: Nguyễn, Văn Mạnh
Được phát hành: (2012) -
Đồ gá cơ khí hóa & tự động hóa
Bỡi: Trần, Văn Dịch
Được phát hành: (2003) -
Theo các quỹ đạo của Ga - Ga - Rin
Được phát hành: (1962) -
Một số bệnh quan trọng ở gà
Bỡi: Nguyễn, Hữu Vũ
Được phát hành: (2003)