Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
שמור ב:
| מחברים אחרים: | Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon. |
|---|---|
| פורמט: | Bài viết |
| שפה: | English |
| נושאים: | |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
פריטים דומים
-
Effects of High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Photosensor
מאת: Than, Hong Phuc, et al.
יצא לאור: (2021) - Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /
-
Effects of Temperature and Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
מאת: Than, Hong Phuc, et al.
יצא לאור: (2021) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
מאת: Nguyễn, Văn Mạnh
יצא לאור: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
מאת: Than, Hong Phuc, et al.
יצא לאור: (2022)