Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
সংরক্ষণ করুন:
| অন্যান্য লেখক: | Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon. |
|---|---|
| বিন্যাস: | প্রবন্ধ |
| ভাষা: | English |
| বিষয়গুলি: | |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Effects of High-Energy Electron Irradiation on the InGaP/GaAs Heterojunction Photosensor
অনুযায়ী: Than, Hong Phuc, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2021) - Photoreflectance measurement in Si3N4/Al0.21Ga0.79As/GaAs heterostructure /
-
Effects of Temperature and Stress on the InGaP/GaAs Heterojunction Phototransistor
অনুযায়ী: Than, Hong Phuc, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2021) -
Phân bố khí điện tử giả hai chiều trong cấu trúc dị chất đơn dựa trên hệ vật liệu AlxGa1 - xAs/GaAs :
অনুযায়ী: Nguyễn, Văn Mạnh
প্রকাশিত: (2012) -
Effects of Insulator Dielectric Passivation Layer on the Breakdown Voltage of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
অনুযায়ী: Than, Hong Phuc, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022)