Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Na minha lista:
Detalhes bibliográficos
Outros Autores: Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon.
Formato: Atigo
Idioma:English
Assuntos:
PR
Tags: Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt