Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

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Bibliographische Detailangaben
Weitere Verfasser:	Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon.
Format:	Artikel
Sprache:	English
Schlagworte:	AlGaAs GaAs Heterostructure PR
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Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Beschreibung
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