Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

সংরক্ষণ করুন:

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
অন্যান্য লেখক:	Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon.
বিন্যাস:	প্রবন্ধ
ভাষা:	English
বিষয়গুলি:	AlGaAs GaAs Heterostructure PR
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

প্রথমজন হিসাবে মন্তব্য করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি