Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
Zapisane w:
| Kolejni autorzy: | , , , , , |
|---|---|
| Format: | Artykuł |
| Język: | English |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Napisz pierwszy komentarz!