Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả khác: Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon.
Định dạng: Bài viết
Ngôn ngữ:English
Những chủ đề:
PR
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt
LEADER 00995nam a2200337 4500
001 DLU090079018
005 ##20090619
040 # # |a DLU  |b eng 
041 # # |a eng 
044 # # |a KR 
245 # # |a Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /  |c Jae-In Yu, Hun-Bo Park, Dong-Lyeul Kim, In-Ho Bae, Jae-Gon Yun, Ki-Hong Kim. 
653 # # |a AlGaAs 
653 # # |a GaAs 
653 # # |a Heterostructure 
653 # # |a PR 
700 # # |a Bae, In-Ho.  
700 # # |a Kim, Dong-Lyeul.  
700 # # |a Kim, Ki-Hong.  
700 # # |a Park, Hun-Bo.  
700 # # |a Yu, Jae-In.  
700 # # |a Yun, Jae-Gon. 
773 # # |t Electrophysics and Applications  |g Vol. 5-C, no. 5 (2005), p. 214-216  
920 # # |a Phòng Tạp chí -- Trung tâm Thông tin - Thư viện Trường Đại học Đà Lạt 
994 # # |a DLU 
900 # # |a True 
911 # # |a Trương Bảo Trâm Anh 
925 # # |a G 
926 # # |a A 
927 # # |a BB 
980 # # |a Thư viện Trường Đại học Đà Lạt