Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /

Gardado en:
Detalles Bibliográficos
Outros autores: Bae, In-Ho., Kim, Dong-Lyeul., Kim, Ki-Hong., Park, Hun-Bo., Yu, Jae-In., Yun, Jae-Gon.
Formato: Artigo
Idioma:English
Những chủ đề:
PR
Các nhãn: Engadir etiqueta
Sen Etiquetas, Sexa o primeiro en etiquetar este rexistro!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt