Investigation of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure by annealing at 300~800oC /
Spremljeno u:
| Daljnji autori: | , , , , , |
|---|---|
| Format: | Članak |
| Jezik: | English |
| Teme: | |
| Oznake: |
Dodaj oznaku
Bez oznaka, Budi prvi tko označuje ovaj zapis!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|