Remote hydrogen-nitrogen plasma chemical vapor deposition from a tetramethyldisilazane source. Part 1. Mechanism of the process, structure and surface morphology of deposited amorphous hydrogenated silicon carbonitride films /

שמור ב:

מידע ביבליוגרפי
מחברים אחרים:	Aoki, T., Baszczyk, I., Hatanaka, Y., Klemberg-Sapieha, J. E., Tracz, A., Walkiewicz-Pietrzykowska, A., Wrobel, A. M.
פורמט:	Bài viết
שפה:	English
נושאים:	Chemical reactivity Inorganic compounds Kinetics Nitrides Plasma chemistry Reaction mechanism Thin films
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

פריטים דומים