Remote hydrogen-nitrogen plasma chemical vapor deposition from a tetramethyldisilazane source. Part 1. Mechanism of the process, structure and surface morphology of deposited amorphous hydrogenated silicon carbonitride films /
Đã lưu trong:
Tác giả khác: | Aoki, T., Baszczyk, I., Hatanaka, Y., Klemberg-Sapieha, J. E., Tracz, A., Walkiewicz-Pietrzykowska, A., Wrobel, A. M. |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | English |
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
Những quyển sách tương tự
-
Hydrogen ion diffusion coefficient of a hydrogenated amorphous silicon thin film /
Bỡi: Yu, George C. -
Tribological behavior of hydrogenated amorphous carbon films deposited on rubbers /
Bỡi: Nguyen Kien Cuong. - Chemical vapor deposition of tantalum carbide and carbonitride thin films from Me3CETa(CH2CMe3)3(E= CH, N) /
- Tetrathiafulvalene-based conducting deposits on silicon substrates /
-
Amorphization of silicon by 250 keV electron irradiation and hydrogen annealing /
Bỡi: Jo, Jung-Yol.