Remote hydrogen-nitrogen plasma chemical vapor deposition from a tetramethyldisilazane source. Part 1. Mechanism of the process, structure and surface morphology of deposited amorphous hydrogenated silicon carbonitride films /

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Detalles Bibliográficos
Otros Autores:	Aoki, T., Baszczyk, I., Hatanaka, Y., Klemberg-Sapieha, J. E., Tracz, A., Walkiewicz-Pietrzykowska, A., Wrobel, A. M.
Formato:	Artículo
Lenguaje:	English
Materias:	Chemical reactivity Inorganic compounds Kinetics Nitrides Plasma chemistry Reaction mechanism Thin films
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

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