High-k/metal gate science and technology /
Сохранить в:
| Главный автор: | Guha, Supratik. |
|---|---|
| Другие авторы: | Narayanan, Vijay. |
| Формат: | Статья |
| Язык: | English |
| Предметы: | |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
| Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
|---|
Схожие документы
-
On-current limitation of high-k gate insulator MOSFETs
по: Chun-Hsing Shih, et al.
Опубликовано: (2024) -
Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios
по: Chun-Hsing Shih, et al.
Опубликовано: (2024) -
Different roles and designs of hetero-gate dielectric in single- and double-gate tunnel field-effect transistors
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2023) -
Bill Gates con đường đến tương lai /
по: Gatlin Jonathan
Опубликовано: (2001) -
The defect chemistry of metal oxides /
по: Smyth, Donald Morgan, 1930-
Опубликовано: (2000)