Materials for magnetoresistive random access memory /
Đã lưu trong:
Tác giả chính: | Slaughter, J. M. |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | English |
Những chủ đề: | |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Những quyển sách tương tự
-
Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024) -
Phase change materials /
Bỡi: Raoux, Simone. -
Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Bỡi: Luu The Vinh, et al.
Được phát hành: (2023) -
Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
Bỡi: Ji-Ting Liang, et al.
Được phát hành: (2024) -
Fluctuations in biological and bioinspired electron-transfer reactions /
Bỡi: Skourtis, Spiros S.