Materials for magnetoresistive random access memory /
Tallennettuna:
Päätekijä: | Slaughter, J. M. |
---|---|
Aineistotyyppi: | Artikkeli |
Kieli: | English |
Aiheet: | |
Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Samankaltaisia teoksia
-
Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
Tekijä: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Julkaistu: (2024) -
Phase change materials /
Tekijä: Raoux, Simone. -
Strongly Correlated Systems:
Experimental Techniques
Tekijä: Avella, Adolfo, et al.
Julkaistu: (2016) -
Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Tekijä: Luu The Vinh, et al.
Julkaistu: (2023) -
Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
Tekijä: Ji-Ting Liang, et al.
Julkaistu: (2024)