Materials for magnetoresistive random access memory /
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Slaughter, J. M. |
---|---|
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
الموضوعات: | |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
مواد مشابهة
-
Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
بواسطة: Nguyễn, Đăng Chiến, وآخرون
منشور في: (2024) -
Phase change materials /
بواسطة: Raoux, Simone. -
Strongly Correlated Systems:
Experimental Techniques
بواسطة: Avella, Adolfo, وآخرون
منشور في: (2016) -
Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
بواسطة: Luu The Vinh, وآخرون
منشور في: (2023) -
Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
بواسطة: Ji-Ting Liang, وآخرون
منشور في: (2024)