Materials for magnetoresistive random access memory /
Сохранить в:
Главный автор: | Slaughter, J. M. |
---|---|
Формат: | Статья |
Язык: | English |
Предметы: | |
Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Схожие документы
-
Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
по: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Опубликовано: (2024) -
Phase change materials /
по: Raoux, Simone. -
Strongly Correlated Systems:
Experimental Techniques
по: Avella, Adolfo, et al.
Опубликовано: (2016) -
Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
по: Luu The Vinh, et al.
Опубликовано: (2023) -
Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
по: Ji-Ting Liang, et al.
Опубликовано: (2024)