Fringing field and short channel effects in thin-body SOI MOSFETs with shallow source/drain

Mã QR

Fringing field and short channel effects in thin-body SOI MOSFETs with shallow source/drain

This work explores numerically the short-channel effects in thin-body SOI MOSFETs with shallow source/drain architecture, where the junction depths are less than the associated silicon body thicknesses. Unique fringing field and short-channel behavior are observed in the unconventional SOI devices....

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Jui-Kai Hsia, Chun-Hsing Shih, Ting-Shiuan Kang, Nguyễn, Đăng Chiến, Nguyen Van Kien
Định dạng:	Conference paper
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	IEEE Publishing 2024
Những chủ đề:	SOl MOSFETs Short-channel effect Silicon -on-insulator Shallow source/drain Fringing field
Truy cập trực tuyến:	https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/3307
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Thư viện lưu trữ:	Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự

On-current limitation of high-k gate insulator MOSFETs
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Increasing drain voltage of low-bandgap tunnel field-effect transistors by drain engineering
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2024)

Wage drift, fringe benefits and manpower distribution
Bỡi: Robinson, Derek
Được phát hành: (1968)

Extreme crack shapes in a shallow shell /
Bỡi: Khludnev, A. M.

Separation and quantification of parasitic resistance in nano-scale silicon MOSFET /

VOCs in shallow groundwater in new residential/commercial areas of the United States /
Bỡi: Squillace, Paul J.

Integrated silicon optoelectronics /
Bỡi: Zimmermann, Horst, 1957-
Được phát hành: (2000)

Multigrid computation for the two-dimensional shallow water equations /
Bỡi: Spitaleri, Rosa Maria.

Synthesis of ion-exchangeable layered polysiloxane by sol-gel reaction of aminoalkyltrialkoxysilane : A new preparation method for layered polysiloxane materials /

Short-channel effects in tunnel field-effect transistors with different configurations of abrupt and graded Si/SiGe heterojunctions
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

All-optical NAND and AND gates based on 3x3 general interference multimode interference couplers /
Bỡi: Le Trung Thanh.

The
Bỡi: Solimano, Andrés
Được phát hành: (2008)

Electrical insulation for rotating machines :
Bỡi: Stone, Greg C.
Được phát hành: (2004)

VLSI fabrication principles :
Bỡi: Ghandi, Sorab K.
Được phát hành: (1982)

The silicon gods
Bỡi: Stine, G. Harry
Được phát hành: (1984)

The lightning current parameters that impact on the surge analysis of the EHV gas insulated substation by EMTP /
Bỡi: Shim, Eung-Bo.

Short-channel effect and device design of extremely scaled tunnel field-effect transistors
Bỡi: Nguyễn, Đăng Chiến, et al.
Được phát hành: (2023)

Ambipolar conduction in recessed channel Schottky barrier MOSFETs
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

The knowledge revolution :
Bỡi: Chorafas, D. N.
Được phát hành: (1968)

Schottky barrier silicon nanowire SONOS memory with ultralow programming and erasing voltages
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Amorphous silicon and related materials
Bỡi: Fritzsche, Hellmut
Được phát hành: (1989)

Công nghệ vật liệu cách nhiệt
Bỡi: Nguyễn Như Quý
Được phát hành: (2002)

Công nghệ vật liệu cách nhiệt
Bỡi: Nguyễn, Như Quý
Được phát hành: (2002)

Silicones and silicone-modified materials
Được phát hành: (2000)

Silicon germanium :
Bỡi: Singh, Raminderpal
Được phát hành: (2004)

Employee benefit planning
Bỡi: Rosenbloom, Jerry S
Được phát hành: (1991)

Use of sol-gels as solid matrixes for simultaneous multielement determination by radio frequency glow discharge optical emission spectrometry : Determinations of suspended particulate matter /

Phát triển hệ thống phân phối hàng hóa ở Việt Nam trong bối cảnh hội nhập kinh tế quốc tế
Được phát hành: (2004)

Nghiên cứu chế tạo vật liệu gốm xốp trên cơ sở vi hạt thủy tinh cầu rỗng và gốm kết dính berlinit (AlPO4) làm vỏ cách nhiệt cho pin nhiệt /
Bỡi: Lương Trung Sơn.

Sub-10nm tunnel field-effect transistor with graded Si/Ge heterojunction
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Highly interconnected Si nanowires for improved stability Li-ion battery anodes /

Employee benefit planning
Bỡi: Rosenbloom , Jerry S.
Được phát hành: (1991)

Short-drain effect of 5 nm tunnel field-effect transistors
Bỡi: Yu-Hsuan Chen, et al.
Được phát hành: (2024)

Fringe 2009
Bỡi: Osten, Wolfgang, et al.
Được phát hành: (2020)

Fringe Regionalism
Bỡi: Mattheis, Frank, et al.
Được phát hành: (2019)

Application of a Godunov type numerical scheme and a dmain decomposition technique to the parallel computation of tidal propagation /
Bỡi: Nguyen Tat Thang.

Threshold voltage of Ge channel MOSFETs with high-k gate insulator
Bỡi: Chun-Hsing Shih, et al.
Được phát hành: (2024)

Insulation Handbook
Bỡi: Richard T Bynum
Được phát hành: (2001)

Dielectrophoretic concentration and separation of live and dead bacteria in an array of insulators /

Insulation handbook
Bỡi: Bynum, Richard T
Được phát hành: (2001)