Transverse scaling of Schottky barrier charge-trapping cells for energy-efficient applications

This work numerically elucidates the effects of transverse scaling on Schottky barrier charge-trapping cells for energy-efficient applications. Together with the scaled gate structures and charge-trapping dielectrics, variations in bias conditions on source-side injection are considered for properly...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Hung-Jin Teng, Yu-Hsuan Chen, Jr-Jie Tsai, Nguyễn, Đăng Chiến, Chenhsin Lien, Chun-Hsing Shih
Định dạng: Journal article
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: MDPI 2021
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://scholar.dlu.edu.vn/handle/123456789/505
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Thư viện lưu trữ: Thư viện Trường Đại học Đà Lạt

Những quyển sách tương tự