Materials for magnetoresistive random access memory /

অনুরূপ উপাদানগুলি

• Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
  অনুযায়ী: Nguyễn, Đăng Chiến, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (2024)
• Phase change materials /
  অনুযায়ী: Raoux, Simone.
• Strongly Correlated Systems: Experimental Techniques
  অনুযায়ী: Avella, Adolfo, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (2016)
• Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
  অনুযায়ী: Luu The Vinh, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (2023)
• Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
  অনুযায়ী: Ji-Ting Liang, অন্যান্য
  প্রকাশিত: (2024)