Materials for magnetoresistive random access memory /
Uloženo v:
Hlavní autor: | Slaughter, J. M. |
---|---|
Médium: | Článek |
Jazyk: | English |
Témata: | |
Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Podobné jednotky
-
Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
Autor: Nguyễn, Đăng Chiến, a další
Vydáno: (2024) -
Phase change materials /
Autor: Raoux, Simone. -
Strongly Correlated Systems:
Experimental Techniques
Autor: Avella, Adolfo, a další
Vydáno: (2016) -
Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
Autor: Luu The Vinh, a další
Vydáno: (2023) -
Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
Autor: Ji-Ting Liang, a další
Vydáno: (2024)