Materials for magnetoresistive random access memory /
Αποθηκεύτηκε σε:
Κύριος συγγραφέας: | Slaughter, J. M. |
---|---|
Μορφή: | Άρθρο |
Γλώσσα: | English |
Θέματα: | |
Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
Thư viện lưu trữ: | Thư viện Trường Đại học Đà Lạt |
---|
Παρόμοια τεκμήρια
-
Modeling of direct band-to-band tunneling in one-sided pn junctions based on Kane’s model
ανά: Nguyễn, Đăng Chiến, κ.ά.
Έκδοση: (2024) -
Phase change materials /
ανά: Raoux, Simone. -
Strongly Correlated Systems:
Experimental Techniques
ανά: Avella, Adolfo, κ.ά.
Έκδοση: (2016) -
Effects of source doping profile on device characteristics of lateral and vertical tunnel field-effect transistors
ανά: Luu The Vinh, κ.ά.
Έκδοση: (2023) -
Impact of edge encroachment on programming and erasing gate current in NAND-type Flash memory
ανά: Ji-Ting Liang, κ.ά.
Έκδοση: (2024)